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[期刊论文] 作者：冯禹臣,高大超,袁佑荣,
来源：半导体光电 年份：1987
本文叙述了用X射线双晶衍射仪非平行(十、一)设置法,测量用分子束外延(MBE)法在GaAs(001)面上生长的量子阱(QW)材料表面各点的回摆曲线。结果表明,松弛状态下晶体表面不同位...
[期刊论文] 作者：高大超,冯禹臣,袁佑荣,
来源：半导体学报 年份：1988
作者在MBE法和LPE法生长的GaAlAs/GaAs外延片中观察到了多层膜的X射线干涉条纹.用X射线双晶测角仪记录了这种干涉条纹,并从条纹振荡的周期计算出外延片中相应外延层的厚度.在...
[期刊论文] 作者：冯禹臣,高大超,袁佑荣,
来源：发光学报 年份：1988
本文介绍了用非平行非对称(+、-)双晶X射线形貌术研究Ⅲ—Ⅴ族化合物外延晶体的设置和原理。分析了外延后形成的弯曲样品造成的衍射效应。对分子束外延(MBE)法生长的GaAs/AlG...
[期刊论文] 作者：袁祐荣,周济,曹望和,冯禹臣,
来源：发光学报 年份：1989
本文讨论了GaAs/AlGaAs异质结界面的H线发光及其性能。用双晶X射线衍射及皮秒光致发光证明了H线与界面质量密切相关,并且有相似于激子跃迁的寿命行为。用限制于异质结界面势...
[期刊论文] 作者：葛中久,李梅,张志舜,冯禹臣,
来源：发光学报 年份：1996
本文介绍了一种使用Ｘ射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体异质外延薄膜的方法．其特点是快速且不损伤样品，特别适合大失配度的外延生长的条件试验检测，也可用于器件生产......
[期刊论文] 作者：冯禹臣,高大超,袁祐荣,江田和生,
来源：发光学报 年份：1987
本文介绍了用X射线双品形貌术研究MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料中的生长缺陷、位错及其对发光性能的影响。同时研究了低温下MBE生长的GaAs/AlGaAs量子阱材料的正交方向的...
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