搜索筛选:
搜索耗时0.5269秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 54 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：冉军学,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2006
宽禁带GaN基半导体材料由于其优越的物理和化学特性，在制备高温、高频大功率微电子器件方面具有巨大潜力和广阔应用前景，GaN基微电子器件是目前国际上研究的热点。本文以GaN基...
[期刊论文] 作者：闫建昌,孙莉莉,冉军学,王军喜,
来源：照明工程学报 年份：2018
基于半导体材料的紫外发光二极管(UV LED)具有节能、环保和寿命长等优点,在杀菌消毒、医疗和生化检测等领域有重大的应用价值。近年来,半导体紫外光电材料和器件在全球引...
[会议论文] 作者：胡国新,王晓亮,王翠梅,肖红领,冉军学,李建平,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文用MOCVD技术生长了非有意掺杂高迁移率GaN外延材料,研究并讨论了非有意掺杂GaN材料获得高电子迁移率的形成机理,给出了非有意掺杂GaN材料的电子迁移率随生长压力的变化关系,通过XRD测试,发现了迁移率同位错之间的紧密联系.在其它生长条件相同的情况下,迁移......
[会议论文] 作者：蒋国文,冉军学,熊衍凯,胡国新,胡强,曾一平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
2011年以来,生产LED的关键设备MOCVD进入国产化阶段.MOCVD主要应用于化合物半导体材料外延,在光电子和微电子材料制备领域有广泛应用,在新型电力电子器件领域有潜在市场应用.目前MOCVD设备在LED产业已得到大规模使用,MOCVD设备国产化已成为半导体照明产业的必然......
[会议论文] 作者：熊衍凯,蒋国文,冉军学,胡国新,胡强,曾一平,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
近年来,由于在缓冲层中插入n-InGaN/GaN超晶格能够有效缓解LED有源区的应力,该方法从而成为大家提高LED发光强度的手段之一.目前为止,超晶格的结构参数包括周期和阱宽垒厚等对LED发光强度的影响均进行过研究.而本论文的目的则是研究n-InGaN/GaN恒温超晶格周期数......
[期刊论文] 作者：冉军学,王晓亮,王翠梅,王军喜,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2005
对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很...
[期刊论文] 作者：申玉田,崔春翔,徐艳姬,韩瑞平,孟凡斌,冉军学,
来源：电子显微学报 年份：2002
生物活性涂层复合材料不仅具有良好的机械性能,而且具有良好的生物相容性,能够较理想的模拟自然骨,被认为是一类最具潜力的人工种植体替代材料.它一般由金属基体(如:钛或钛合...
[期刊论文] 作者：殷海波, 王晓亮, 冉军学, 胡国新, 张露, 肖红领, 李璟,,
来源：半导体学报 年份：2011
...
[期刊论文] 作者：冉军学, 王晓亮, 胡国新, 王军喜, 李建平, 曾一平, 李晋,
来源：半导体学报 年份：2005
...
[期刊论文] 作者：冉军学,王晓亮,胡国新,王军喜,李建平,曾一平,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2005
用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN：Mg外延膜，对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试．Hall测试结果表明，950℃退火后空...
[期刊论文] 作者：马志勇,王晓亮,胡国新,肖红领,王翠梅,冉军学,李建平,
来源：半导体学报 年份：2007
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)...
[会议论文] 作者：冉军学,王晓亮,胡国新,张露,殷海波,肖红领,李晋闽,
来源：第十一届全国MOCVD学术会议 年份：2010
本文对MOCVD控制系统特点进行了介绍，通过设计实现了对MOCVD设备压力、流量、温度等关键参数的精确控制，开发了上位机手动控制软件和工艺配方自动控制软件，本控制软件系统经过MO......
[会议论文] 作者：马志勇,王晓亮,胡国新,肖红领,王翠梅,冉军学,李建平,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究,测试结果表明该材科具有优良的晶体......
[会议论文] 作者：胡国新,梁勇,冉军学,胡强,熊衍凯,曾一平,李晋闽,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
用金属有机物化学沉积(MOCVD)设备生长薄膜材料,通常需要各种源材料以及携带气体.源材料包括金属有机源(MO源)和氨气等气体源,两种反应物混合携带气体后分别通入生长室,在衬底上均匀混合,生成所需要的化合物.源材料通入方式的不同,决定不同的气流模式,所以设备......
[会议论文] 作者：冉军学,熊衍凯,蒋国文,胡强,胡国新,曾一平,李晋闽,
来源：第13届全国MOCVD学术会议 年份：2014
MOCVD作为化合物半导体外延的基础核心设备,实现国产化具有重要意义,近两年我国国产MOCVD设备技术发展较快,得到了应用验证.在LED结构材料中,作为有源区,量子阱(MQW)的质量是是LED性能的关键参数,量子阱的生长对设备的一些重要性能指标,如温度、气流控制等方面......
[期刊论文] 作者：王新华,王晓亮,冯春,冉军学,肖红领,杨翠柏,王保柱,王军喜,,
来源：半导体学报 年份：2008
通过溅射的方法制作了Pt／AIGaN／GaN背对背肖特基二极管并测试了该器件对氢气的响应．研究了Pt／AlGaN／GaN背对背肖特基二极管在25和100℃时对于10％H2（N2气中）的响应，计算了器件的灵敏度；......
[期刊论文] 作者：殷海波,王晓亮,冉军学,胡国新,张露,肖红领,李璟,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2011
A homemade 7×2 inch MOCVD system is presented.With this system,high quality GaN epitaxial layers,InGaN/GaN multi-quantum wells and blue LED structural epitaxia...
[期刊论文] 作者：王晓亮,王翠梅,胡国新,王军喜,刘新宇,刘键,冉军学,钱鹤,,
来源：半导体学报 年份：2005
采用RF-MBE技术，在蓝宝石衬底上生长了高Al组分势垒层AlGaN／GaNHEMT结构．用三晶X射线衍射分析得到AlGaN势垒层的Al组分约为43％，异质结构晶体质量较高，界面比较光滑．变温霍尔测量显示......
[期刊论文] 作者：冯春,王晓亮,王新华,肖红领,王翠梅,胡国新,冉军学,王军喜,,
来源：半导体学报 年份：2008
研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于CO的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度（1%,9000,8000,5000和1000ppm）的CO的响应情况...
[期刊论文] 作者：姜丽娟,王晓亮,刘超,肖红领,王翠梅,冉军学,胡国新,李建平,
来源：半导体学报 年份：2007
采用双能态Cr+注入法结合样品的快速退火工艺,在MOCVD外延生长的n型、非掺杂和p型GaN薄膜样品表面注入相同剂量的Cr+,得到了厚度约200nm的铁磁性GaCrN薄膜,并用XRD,SQUID和Ha...
相关搜索：
