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[期刊论文] 作者：于朝荣,
来源：微电子学 年份：2004
本文比较讨论了制作256K位以上容量的MOS动态RAM的三种迭式电容器型存贮单元。这是把存贮电容器迭加在晶体管和场氧化膜上面构成的存贮单元。其抗X射线能力强,但加工精度要求...
[期刊论文] 作者：于朝荣,,
来源：微电子学 年份：1972
1.引言由于 GaAs 的迁移率比 Si 和 Ge 大,而且禁带宽度也大,所以它可以制作高频,耐高温,大功率的器件。在汽相外延中,由于可在低于液相外延的温度下生长晶体,所以可制得含...
[期刊论文] 作者：于朝荣,
来源：微电子学 年份：2004
在设计数字钟表用CMOSLSI中,最重要的是使用什么样的显示器件并如何使用它。液晶显示器件虽然其寿命和温度特性亚于LED,但其功耗小却是出类拔萃的。然而,直流驱动缩短了液晶...
[期刊论文] 作者：于朝荣,
来源：微电子学 年份：1975
电荷转移器件是利用电荷群沿半导体表面移动而传输信息的器件。自1969年San-gster发表BBD和1970年Boyle及Smith发表CCD以后。此种器件迅速地发展起来。它与先后发表的磁泡器...
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