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[期刊论文] 作者：Bob,Lee,,
来源：网球俱乐部 年份：2009
在丁训民的家中挂着一幅他挥拍击球的照片,他说“这是我最喜欢的照片。”他对网球已经上瘾几十年了,不但戒不掉,反而传染给更多的人,让更多的人享受这份快乐,让自己的生活充...
[期刊论文] 作者：邱宏伟,,
来源：中国农垦 年份：2014
四十多年过去,当年在黑龙江生产建设兵团三师三十团(现黑龙江农垦红兴隆管理局江川农场)奉献了青春和年华的知青们大多都回到了各自的家乡,然而丁训民、徐慧敏、张咏萍、张凤...
[期刊论文] 作者：丁训民,
来源：复旦学报：自然科学版 年份：2001
低能电子与半导体表面的相互作用能激发带间电子跃迁和（或）表面振动，因而对背散射电子能量分布的高分辨率测量可望给出与这些激发相关的丰富信息，近年来的实验研究证实，进行这样的......
[期刊论文] 作者：丁训民,
来源：国际学术动态 年份：1997
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[期刊论文] 作者：丁训民,
来源：国际学术动态 年份：1996
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[期刊论文] 作者：贺仲卿,丁训民,
来源：物理 年份：1993
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[期刊论文] 作者：丁训民,侯晓远,
来源：物理学进展 年份：1992
本文综述了应用同步辐射光源的几种主要表面物理研究技术。内容包括:同步辐射光电子能谱(SRPES)、表面广延X射线吸收边精细结构(SEXAFS)、光电子衍射(PED)和掠角入射X射线衍...
[期刊论文] 作者：徐前江,丁训民,
来源：半导体学报 年份：1995
在纯氮气体起辉放电产生的紫外光的激励下，到达ＧａＡｓ表面的Ｎ２会离解并和Ｇａ、Ａｓ原子成键，Ｘ射线光电子能谱测量结果证实了这一设想。...
[期刊论文] 作者：贺仲卿,丁训民,王迅,
来源：物理 年份：1993
GaN是一种宽禁带半导体材料,非常适合于制作从蓝光到近紫外波段的光电器件,它也是Ⅱ-V族含氮化合物中研究得最充分的材料,近年来在国际上受到很大重视.在材料制备方面初步解...
[期刊论文] 作者：贺仲卿, 侯晓远, 丁训民,,
来源：物理学报 年份：1992
用低能电子衍射(LEED),光电子能谱(XPS和UPS)研究GaSb(100)表面的各种再构:c(2×6),(1×3)和(2×3)。所有这三种再构表面都以有失列的Sb原子结尾。在Sb气氛中退火可使分子束...
[期刊论文] 作者：徐前江,丁训民,侯晓远,
来源：半导体学报 年份：1995
在纯氮气体起辉放电产生的紫外光的激励下，到达ＧａＡｓ表面的Ｎ２会离解并和Ｇａ、Ａｓ原子成键，Ｘ射线光电子能谱测量结果证实了这一设想．Excited by the ultraviolet light generated by the pure......
[期刊论文] 作者：丁训民,杨曙,董国胜,王迅,
来源：半导体学报 年份：1984
用探测在MgK_α和 AlK_α X光源激发下掠角发射的As 2p、GaZP、Ca3d和Ols光电子的办法,提高了XPS表面分析的灵敏度,从而研究了 GaAs(111)面在吸附氧过程中表面 Ga、As和O的变...
[期刊论文] 作者：龙永福,葛进,丁训民,侯晓远,,
来源：半导体学报 年份：2009
The optical properties of porous silicon(PS) samples fabricated by pulse etching in a temperature range from-40 to 50-C have been investigated using reflectance...
[期刊论文] 作者：徐少辉,丁训民,资剑,侯晓远,
来源：物理 年份：2002
文章将电子与光子以及二者在不同的约束结构(孤立原子与光子点,孤立分子与光子分子,半导体晶体与光子晶体)中的行为作了类比,揭示电子体系和光子体系有很高的可比性....
[期刊论文] 作者：卢学坤,侯晓远,丁训民,王迅,
来源：半导体学报 年份：1994
离子束处理在器件工艺和材料表征技术中有着广泛的应用．本文采用低能电子衍射、Ｘ光电子能谱和角分辨紫外光电子能谱对ＧａＰ极性表面经Ａｒ离子溅射后的损伤情况进行了研究．主要探讨表面损......
[期刊论文] 作者：丁训民,董国胜,杨曙,王迅,徐亚伯,
来源：半导体学报 年份：1983
晶体的表面具有与体内不同的晶格对称性,因而在表面可以存在三维晶格中所没有的格波,其量子即表面声子.然而从实验上观察表面声子往往由于不易与量子能量相近的体声子区分而...
[期刊论文] 作者：肖撼宇,卢学坤,丁训民,陈平,王迅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
X-ray photoelectron spectroscopy(XPS), ultraviolet photoelectron spec-troscopy (UPS) and high resolution electron energy loss spectroscopy (HREELS)are used to s...
[期刊论文] 作者：朱建红,候晓远,丁训民,金晓峰,陈平,
来源：半导体学报 年份：2004
用高分辨电子能量损失谱(HREELS)结合XPS研究了硫钝化的GaAs(100)面.HREELS的结果与XPS一致,证明钝化后GaAs(100)面的自然氧化物被完全除去,样品表面形成了一层主要由As-S键...
[期刊论文] 作者：侯晓远,杨曙,董国胜,丁训民,王迅,
来源：物理学报 年份：1987
氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动...
[期刊论文] 作者：胡海天,来冰,袁泽亮,丁训民,侯晓远,
来源：物理学报 年份：1998
Ｋ吸附层的存在能促进ＧａＡｓ（１００）表面在室温下的氮化．光电发射测量为此提供了证据．在将Ｋ／ＧａＡｓ（１００）暴露于纯氮以后，价带和芯能级谱均会出现显著变化：功函数有一定程度回升，价带谱中显露Ｎ２ｐ峰，Ｇａ２ｐ和Ａｓ２ｐ芯能级谱中产生......
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