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[期刊论文] 作者：邢艳辉,邓军,韩军,李建军,沈光地,,
来源：物理学报 年份：2009
利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN量子阱结构.研究了引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层的量子阱特性,结果表明通过引入n型InGaN薄层或InGaN/...
[期刊论文] 作者：邢艳辉,韩军,邓军,李建军,沈光地,,
来源：物理学报 年份：2009
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表面台阶朝向...
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