搜索筛选:
搜索耗时0.2995秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 5 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:田泽刚,, 来源:发明与创新(教育信息化) 年份:2016
如何充分实现多媒体课堂教学的大容量、全知觉、高效率?本文试图通过格式塔心理学(完形心理学)的压...
[会议论文] 作者:全知觉,吴小明,刘军林,潘拴,江风益, 来源:中国物理学会2016年秋季会议 年份:2016
氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)在蓝光波段已取得巨大成功,但其在绿、黄光等较长波段的发光效率仍然较低。由位错诱导产生的V 坑可显著提高GaN 基LED 的发光效率。关于V 坑的作用机理,前人提出了V 坑可以屏蔽位错的物理模型1,在一定程度上阐明了GaN 基LED 发光效......
[期刊论文] 作者:王光绪, 陈鹏, 刘军林, 吴小明, 莫春兰, 全知觉, 江, 来源:物理学报 年份:2016
研究了等离子体刻蚀Al N缓冲层对硅衬底N极性n-Ga N表面粗化行为的影响.实验结果表明,表面Al N缓冲层的状态对N极性n-Ga N的粗化行为影响很大,采用等离子体刻蚀去除一部分表...
[会议论文] 作者:江风益,刘军林,徐龙权,张建立,王光绪,全知觉,丁杰,王小兰,莫春兰,吴小明,潘拴,郑畅达, 来源:第十四届全国发光学学术会议 年份:2016
[期刊论文] 作者:高江东,刘军林,徐龙权,王光绪,丁杰,陶喜霞,张建立,潘拴,吴小明,莫春兰,王小兰,全知觉,郑畅达,方芳,江风益,, 来源:发光学报 年份:2016
用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率(EQE)随垒温的变化关系。结果表明...
相关搜索: