【摘 要】
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研究了等离子体刻蚀Al N缓冲层对硅衬底N极性n-Ga N表面粗化行为的影响.实验结果表明,表面Al N缓冲层的状态对N极性n-Ga N的粗化行为影响很大,采用等离子体刻蚀去除一部分表
【基金项目】
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国家自然科学基金(批准号:61334001;11364034;21405076);国家科技支撑计划(批准号:2011BAE32B01);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A101);江西省科技支撑计划(批准号:20151BBE50111)资助的课题~~
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研究了等离子体刻蚀Al N缓冲层对硅衬底N极性n-Ga N表面粗化行为的影响.实验结果表明,表面Al N缓冲层的状态对N极性n-Ga N的粗化行为影响很大,采用等离子体刻蚀去除一部分表面Al N缓冲层即可以有效提高N极性n-Ga N在KOH溶液中的粗化效果,Al N缓冲层未经任何刻蚀处理的样品粗化速度过慢,被刻蚀完全去除Al N缓冲层的样品容易出现粗化过头的现象.经X射线光电子能谱分析可知,等离子体刻蚀能够提高样品表面Al N缓冲层Al2p的电子结合能,使得样品表面费米能级向导带底靠近,原子含量测试表明样
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