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[会议论文] 作者：全知觉,汤英文,游达,江风益,
来源：第十一届全国LED产业与技术研讨会 年份：2008
研究了P型AIGaN电子势垒层对大功率Si衬底GaN基LED光电性能的影响。设计制作了三种不同材料结构的器件：(1)无P型AlGaN；(2)有P型AlGaN和(5)有P型AlGaN且阱稍窄。通过对比分析三...
[会议论文] 作者：游达,程海英,刘彦松,全知觉,王立,江风益,
来源：第十一届全国LED产业与技术研讨会 年份：2008
本文报道了最新Si上GaN大功率芯片(400um×600um)的封装老化结果。芯片制备采用的上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺，封装采用普通大功率封装支架封装，封装好后的蓝光LED管芯在20...
[会议论文] 作者：游达[1]程海英[2]刘彦松[1]全知觉[1]王立[2]江风益[2],
来源：第十一届全国LED产业与技术研讨会 年份：2008
本文报道了最新Si上GaN大功率芯片(400um×600um)的封装老化结果。芯片制备采用的上下电极垂直结构与Ag反射镜工艺，封装采用普通大功率封装支架封装，封装好后的蓝光LED管芯在20...
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