硫钝化GaAs异质结双极型晶体管取得明显效果

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氯化硫钝化是本实验室所发明的一种GaAs表面钝化新方法,已申请国家发明专利。最近,本实验室与电子工业部南京电子器件研究所合作,试验用氯化硫钝化来处理GaAs异质结双极型晶体管。在所试验的一批管子中,特性均有不同程度的提高,电流放大系数一般提高一倍到一个量级,特别 Sulfur chloride passivation is invented by our laboratory a new method of passivation of GaAs surface, has applied for national invention patents. Recently, our lab worked with the Nanjing Institute of Electronics of the Ministry of Electronics Industry to test GaAs heterojunction bipolar transistors with sulfur-chloride passivation. In the batch of tubes tested, the characteristics are improved in varying degrees, the current amplification factor generally doubled to one order of magnitude, in particular
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