气态源分子束外延生长重碳掺杂p型InGaAs研究

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xixixi

【摘要】

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采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其特性,在 AsH3压力 5.33× 104Pa,生长温度 50

【作者】

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徐安怀陈晓杰齐鸣朱福英

【机构】

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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院研究生院

【出处】

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功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

分子束外延碳掺杂四溴化碳 InGaAs 异质结双极晶体管

【基金项目】

：

国家重点基础研究发展计划(973计划);

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采用气态源分子束外延( GSMBE)技术,以四溴化碳( CBr4)作为碳杂质源,系统研究了 InP衬底上碳掺杂 p型 InGaAs材料的外延生长及其特性,在 AsH3压力 5.33× 104Pa,生长温度 500℃条件下获得了空穴浓度高达 1× 1020/cm3、室温迁移率为 45cm2/Vs的重碳掺杂 p型 In0.53Ga0.47As材料. 研究了 CBr4和 AsH3束流强度以及生长温度等生长条件对碳掺杂 InGaAs外延层组份、空穴浓度和迁移率的影响,并对不同生长条件下的氢钝化效应进行了分析.

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