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<正>MOS结构的C-V特性测量技术,不论在半导体器件、集成电路制造工艺方面,还是在半导体表面钝化与表面物理的研究方面都是一种能够测量多种参数、操作简便、便于自动描绘的非破坏性的测量方法。它可广泛用于生产工艺过程的监控。
工艺监控用的金探针快速C-V测定
【摘 要】
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<正>MOS结构的C-V特性测量技术,不论在半导体器件、集成电路制造工艺方面,还是在半导体表面钝化与表面物理的研究方面都是一种能够测量多种参数、操作简便、便于自动描绘的非
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2004年期
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