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提出了一种新的MOS器件栅增压电路，它在减小MOS开关导通电阻的同时，减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真．该电路采用了0．13μm1．2V／2．5V CMOS工艺，HSPICE的仿真结果表明该栅增压电路适用于高速低电压开关电容电路．
一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路
【摘 要】
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提出了一种新的MOS器件栅增压电路，它在减小MOS开关导通电阻的同时，减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真．该电路采用了0．13μm1．2V／2．5V CMOS工艺，HSPICE的仿真结果表明该栅增压
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年9期
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