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采用三次样线方法（SADI）与高阶紧致差分相结合的方法计算用于半导体器件模拟的漂移扩散模型（DD）模型，并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明，这种方法可以降低方程的迭代次数约35％．并明显减少方程的求解时间。
用于半导体器件模拟的高精度三次样线法
【摘 要】
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采用三次样线方法（SADI）与高阶紧致差分相结合的方法计算用于半导体器件模拟的漂移扩散模型（DD）模型，并实现了该算法在半导体器件模拟中的应用。数值计算表明，这种方法可以降低方程
【机 构】
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五邑大学信息学院,江南大学信息工程学院,东莞理工学院电子工程系
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2008年4期
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