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为了缩小晶体管的几何尺寸,以改进其特性,要求在氧化物上刻出1到5微米左右的线条。为了保证这些器件有较高的成品率,光刻工艺的严格操作规程及检验工艺失效的简易方法都变得更加迫切需要。本文研究考察了柯达薄膜抗蚀剂(K.T.F.R.)及其电子级溶剂的性能,并讨论了曝光时间与线条清晰度的关系,以及抗蚀剂的化学抗蚀性、粘度和针孔密度随光致抗蚀剂厚度变化等问题。所有的实验都是用标准的实验室设备进行测量的。