Tm,Ho双掺杂YVO_4晶体中Tm对Ho敏化发光现象

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【摘要】

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报道了对Tm,Ho双掺YVO4晶体光谱性能的测量结果，包括用用UV－365型分光光度计测出单掺Tm:YVO4及Ho:YVO4吸收谱以及双掺Tm:Ho:YVO4的吸收谱；用Ar离子激光器488nm，LD激光器激发测量

【作者】

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杨文琴

【机构】

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福建师范大学实验中心

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2001年2期

【关键词】

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晶体敏化 2μm发射发光 Tm Ho∶YVO4 crystal sensitization 2μm emission

【基金项目】

：

福建省自然科学基金 (MX5 3 )

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报道了对Tm,Ho双掺YVO4晶体光谱性能的测量结果，包括用用UV－365型分光光度计测出单掺Tm:YVO4及Ho:YVO4吸收谱以及双掺Tm:Ho:YVO4的吸收谱；用Ar离子激光器488nm，LD激光器激发测量样品荧光光谱；用J－O理论进行光谱参数计算及对能级结构进行分析；研究了在λ=805nm的激光二极管激发下Tm对Ho的敏化发光过程。发现与YAG，YLF为基质的Tm,Ho双掺材料相比，该材料中的Tm^3+离子具有大而均匀的吸收宽度（－26nm)，大的峰位吸收截面和积分吸收截面（－1.4×

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