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用MOCVD方法生长了3种InGaAs/Al0.2Ga0.8As应变多量子阱(MQWs)样品,用于研究在气相中TMIn的含量对MQWs的发光波长和半峰宽(FWHM)以及在X射线中零级峰位的影响.研究表明,随着In组分在MQW中的增加,MQWs中应变也随之增加,这是造成FWHM增大的原因.同时也研究了应变MQWs中In组分与气相中TMIn含量的关系,为准确设计和控制MQWs的组分提供了依据.