具有线性GRIN结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mrchenbx
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采用MOCVD 方法成功地研制了具有线性GRIN 结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为815~825 nm ,阈值电流为130 m A。工作电流在480 m A 时,单面连续输出光功率高达200 m W,且基本保持在单模工作状态。工作在970 m A 时,单面连续输出光功率为0.5 W。 The MGAVD method has successfully developed a GaAs / AlGaAs single quantum well laser with a linear GRIN structure. The laser has a peak wavelength of 815-825 nm and a threshold current of 130 mA. When the operating current is 480 m A, the single-side continuous output optical power is up to 200 mW and remains in single-mode operation. Working at 970 m A, continuous output optical power of 0.5 W on one side.
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