0.18μm CMOS工艺下的新型ESD保护电路设计

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为了有效地保护0.18μm CMOS工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个NMOS反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CMOS工艺下的普通器件,节省了电路的成本. In order to effectively protect the gate of the clamp device in the 0.18μm CMOS process, a novel ESD protection circuit is designed between the power supply and the ground. This circuit adds an NMOS feedback device to the detection circuit and at the same time, The next stage uses a dynamic transmission structure.The feedback device can improve the switching speed of the working state of the various devices in the circuit so that the protection circuit can be shut down in time to avoid the clamping current of the clamping device being kept for a long time and protecting the gate of the clamping device In addition, this circuit adopts the ordinary device under the 0.18μm CMOS craft, has saved the cost of the circuit.
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