Hg_(1-x)Cd_xTe上的阳极硫化〔物〕膜

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本文第一次报导Hg_(1-x)Cd_xTe的一种新表面钝化法,它以自身硫化物而不是自身氧化物为基础。在溶液中的电化学元件上用简单的可再现阳极法形成自身CdS膜。在窄带隙Hg_(1-x);Cd_xTe(在77K时为0.1~0.2eV)上由阳极化形成的自身CdS的带隙为2.4eV,看来很适用于表面钝化。研究结果说明已形成具有所要求电和电光性能的界面供在p型Hg_(1-x)Cd_xTe上制备的光伏器件所用。 This is the first report of a new surface passivation method for Hg_ (1-x) Cd_xTe based on its own sulfide instead of its own. A self-CdS film was formed on the electrochemical elements in solution by a simple reproducible anode method. The self-CdS bandgap formed by anodization at narrow bandgap Hg_ (1-x); Cd_xTe (0.1 to 0.2 eV at 77 K) is 2.4 eV and appears to be well suited for surface passivation. The results show that an interface having the required electrical and electro-optical properties has been formed for photovoltaic devices fabricated on p-type Hg_ (1-x) Cd_xTe.
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