【摘 要】
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以纯度为99.9%的陶瓷靶（w（ZnO）=98%,w（Al2O3）=2%）为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积制备了Al2O3掺杂的ZnO（AZO）薄膜。采用X射线衍射（XRD）仪、扫描电子显微镜（SEM）、紫外可见
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以纯度为99.9%的陶瓷靶（w（ZnO）=98%,w（Al2O3）=2%）为溅射靶材,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积制备了Al2O3掺杂的ZnO（AZO）薄膜。采用X射线衍射（XRD）仪、扫描电子显微镜（SEM）、紫外可见光谱（UV-Vis）仪等仪器,对AZO薄膜的形貌结构、光电学性能进行了测试,从薄膜生长方式和缺陷散射角度分析了衬底温度对AZO薄膜的影响。结果表明：当衬底温度在室温至300℃温度区间内时,其对AZO薄膜性能的影响显著。衬底温度为200℃时制得的薄膜具有良好的结晶度和光电性能,其可见光
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