超高场强磁共振深部脑刺激电极周围组织的病理改变

来源 :中华神经外科杂志 | 被引量 : 0次 | 上传用户:HoshinoYuki
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目的 通过对比超高场强MRI(7.0T和3.0T)与高场强MRI(1.5 T)下深部脑刺激(DBS)电极周围组织的病理学变化,深入探讨射频磁场中DBS电极热效应对周围组织的影响.方法 雄性新西兰白兔18只,随机分人7.0T组(n=6),3.0T组(n=6)及高场强1.5T组(n=6).各组动物以左侧丘脑腹后核为靶点,植入全套DBS电极和刺激器.术后进行对应场强核磁共振扫描,24 h后对针道周围脑组织进行HE染色及电镜检查,并对组织损伤进行评估.所有统计结果采用均数±标准差表示,使用SPSS 19.0医学统计程序进行单向方差分析,P<0.05为差异有统计学.结果 HE染色及电镜检查显示在距针道相等距离位置,7.0T组及3.0T组的细胞损伤程度与高场强1.5T组相比,差异无统计学意义(P>0.05).结论 超高场强磁共振(3.0T及7.0T)并未造成DBS电极周围出现明显热损伤,提示体内植入DBS设备的患者进行超高场强磁共振扫描可能是安全的。

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