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研究了富碳纳米碳化硅粉全的氧化除碳，物理化学结果表明，碳化硅样品是立方晶相，平均粒径约为３０nm，颗粒呈球形，ＴＧ、ＤＴＡ及ＴＥＭ结果显示，在空气环境中，样品经６５０℃处理３０min后，游碳已去除,处理前后碳化硅颗粒无明显长大。
富碳纳米SiC粉末的氧化除碳
【摘 要】
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研究了富碳纳米碳化硅粉全的氧化除碳，物理化学结果表明，碳化硅样品是立方晶相，平均粒径约为３０nm，颗粒呈球形，ＴＧ、ＤＴＡ及ＴＥＭ结果显示，在空气环境中，样品经６５０℃处理３０min后，游碳已去除,处理前后碳化硅
【机 构】
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中国科学院上海硅酸盐研究所
【出 处】
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材料科学与工艺
【发表日期】
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2000年4期
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