SIMOX上Si／Ge0.5Si0.5超晶格的TEM分析

来源 :电子显微学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：qiaochaoqiaochao

【摘要】

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<正> 借助剖面电子显微学(TEM)和离子背散射沟道技术研究了SIMOX衬底上分子束外延生长的Si/Ge_(0.5)SI_(0.5)应变层超晶格薄膜。实验结果表明Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶

【作者】

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倪如山朱文化

【出处】

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电子显微学报

【发表日期】

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1992年5期

【关键词】

：

Si/GeSi 外延生长超晶格 TEM 分析

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<正> 借助剖面电子显微学(TEM)和离子背散射沟道技术研究了SIMOX衬底上分子束外延生长的Si/Ge_(0.5)SI_(0.5)应变层超晶格薄膜。实验结果表明Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格能成功地生长在SIMOX衬底上。由于si/Ge_(0.5)Si_(0.5)膜与SIMOX衬底之间晶格失配,引起晶格畸变。分析SIMOX超晶格的显微结构,Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)超晶格内存在的位错与SIMOX衬底内的位错密度有关引言Si衬底上分子束外延Si/Ge_(0.5)

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