打工妹要警惕“洗板水”

来源 :环境 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yao252373
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
唐小妹读者: 目前,电子厂使用的“洗板水”,其主要成分是三氯乙烯。三氯乙烯为无色、易挥发的液体。可经呼吸道吸入或皮肤接触进入体内。每立方空气中含有1~20克就可造成急性中毒。三氯乙烯属中等毒性,主要是对人体呼吸中枢和心血管中枢具有强烈的抑制作用,引起中毒患者呼吸衰竭、心室颤动、心搏骤停等。而且, Tang Xiaomei readers: At present, the electronics factory to use “wash water”, the main component is trichlorethylene. Trichlorethylene is a colorless, volatile liquid. May be inhaled through the respiratory tract or into contact with the skin. Each cubic air containing 1 to 20 grams can cause acute poisoning. Triclosan is a moderate toxicity, mainly on the human respiratory and cardiovascular centers have a strong inhibitory effect, causing respiratory failure patients with poisoning, ventricular fibrillation, cardiac arrest and so on. and,
其他文献
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在不锈钢柔性衬底上制备了系列非晶硅/微晶硅叠层电池,通过调节子电池本征层厚度实现子电池间的电流匹配。量子效率(QE)和I-V测试结果
会议
国际职业卫生协会(ICOH)于1996年9月在瑞典首都斯德哥尔摩举行第25届会议期间,“职业与老龄化”科学委员会组织了题为“保持老龄工人的工作能力”(maintainingworkabilityofolderworkers)研讨会;针对“老龄工人的健... During the
用等离子增强化学沉积方法在柔性不锈钢(stainlesssteel—SS)衬底上制备了n-i-p非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,重点研究了叠层电池隧穿复合结中非晶硅复合层的掺杂比例(B2H6/SiH4
采用RF-PECVD方法,以硅烷(SiH4)为反应气体,乙硼烷(B2He)为掺杂气体,经氢气稀释后在玻璃衬底上沉积p型氢化非晶硅(a-si:H)薄膜。用XRD和拉曼光谱分析薄膜的微观结构,采用日本岛津
会议
为提高硅薄膜沉积过程中的硅烷利用率,我们利用四极杆质谱对高压高功率法沉积硅薄膜过程中硅烷分压进行了监测。研究了硅烷分解率与硅烷浓度、辉光功率以及反应气压关系。结果
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)法在聚酰亚胺衬底上制备了非晶硅薄膜,主要研究了射频功率对沉积速率、均匀性、薄膜应力的影响。实验结果表明,射频功率40w,气流量H
会议
本文介绍用低压化学气相沉积方法在双层多孔硅上外延生长准单晶硅薄膜并进而制备太阳能电池的研究结果。首先采用电化学腐蚀的方法制备了双层多孔硅,研究了两步阳极氧化法形成
会议
本文在已有的单室VHF-PECVD技术制备pin型单结微晶硅电池的基础上,将产业化低成本单室非晶硅/非晶硅叠层电池升级到单室a-Si:H/a—Si:H/μc-Si:H pin结构的三叠层电池,通过优化隧
以SiH4和H2为反应气源,建立了等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法制备氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜的气相反应模型,模拟了典型的μc-Si:H薄膜沉积条件下各物种的浓度以及硅烷浓度SC
本文研究了界面相对氢化微晶硅太阳电池性能的影响。氢化微晶硅薄膜由等离子体增强化学气相沉积系统制备。薄膜界面相由红外吸收谱所得的界面结构因子(Rif)表征。薄膜的晶相
会议