Electronic Structure and Optical Properties of Zinc-Blende InxGa1-xNyAs1-y by a First-Principles Stu

来源 :理论物理通讯：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dishunzhaopin

【摘要】

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电子结构和锌闪锌矿 InxGa1 的光性质 ? xNyAs1 ? y 系统被计算从第一原则。一些相对模拟在密度的框架用本地密度近似的 CA-PZ 形式被执行功能的理论。内在的 GaAs 的 superc

【作者】

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沈阅芦鹏飞俞重远赵龙叶寒刘玉敏袁桂芳

【机构】

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KeyLaboratoryofInformationPhotonicsandOpticalCommunications

【出处】

：

理论物理通讯：英文版

【发表日期】

：

2011年4期

【关键词】

：

砷化铟镓电子结构光学性能砷化镓闪锌矿第一原理属性密度泛函理论 first-principles calculation GaAs electr

【基金项目】

：

Supported by the Fundamental Research Funds for the Central Universities under Grant No. BUPT2009RC0412 and the National Natural Science Foundation of China under Grant Nos. 60908028 and 60971068

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电子结构和锌闪锌矿 InxGa1 的光性质 ? xNyAs1 ? y 系统被计算从第一原则。一些相对模拟在密度的框架用本地密度近似的 CA-PZ 形式被执行功能的理论。内在的 GaAs 的 supercell 由使用不同方法计算、优化，并且 LDA-CA-PZ 给最稳定的结构。InxGa1 的乐队差距 ? xAs 趋于与在集中增加减少。为 In0.0625Ga0.9375NyAs1 的盒子 ? y，乐队差距将看细微差别 N 集中什么时候比 18.75% 大。光转变在在 GaAs 的掺杂物展出红移动，当它是

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