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本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法,以及用这种方法研究GaAlAs薄膜和GaAs体材料的结果。热微分反射光谱显示了材料在一定波长范围内所有的临界点结构,这些结构主要由临界点能量随温度的变化所引起。研究表明这种微分光谱具有简单易行,不破坏样品等特点,并且对研究较薄的材料显示了很高的灵敏度。