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在77—300K温度范围内,用N_2分子激光器的3371谱线激发未故意掺杂的p型ZnTe晶体,得到了与自由激子有关的发射。发现随着激发密度的增加,其发光光谱的峰值位置红移而谱带的半宽度展宽,这些结果可以用E_x—e和E_x—E_x的相互作用来解释。
高密度激发下ZnTe晶体中与自由激子有关的发射
【摘 要】
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在77—300K温度范围内,用N_2分子激光器的3371谱线激发未故意掺杂的p型ZnTe晶体,得到了与自由激子有关的发射。发现随着激发密度的增加,其发光光谱的峰值位置红移而谱带的半
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,中国科学院长春物理研究所
【出 处】
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发光学报
【发表日期】
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1989年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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