单片集成CMOS电阻真空传感器

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lvxubin

【摘要】

：

设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电

【作者】

：

张凤田唐祯安汪家奇余隽

【机构】

：

中国工程物理研究院电子工程研究所,大连理工大学电子工程系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2008年6期

【关键词】

：

电阻真空传感器单片集成 CMOS 微热板 thermal vacuum sensor monolithic integration CMOS micro ho

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目（批准号：90207003,90607003）Acknowledgement The authors thank CSMC Technology Corporation for device fabrication.

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设计了一种工作在恒电压模式的、微热板结构的单片集成电阻真空传感器芯片.提出了一种以CMOS集成电路中的介质层与钝化层为结构层、栅多晶硅为牺牲层、第二层多晶硅为加热电阻的微传感器单芯片集成工艺模式,制定了相应的工艺流程.采用0.6μm CMOS数模混合集成电路工艺,结合牺牲层腐蚀技术实现了单片集成真空传感器的加工,测试结果显示该芯片能够测量2～10^5Pa范围内的气压大小,且输出电压范围可调,验证了单片集成工艺的可行性.

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