【摘 要】
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苯并三唑(BTA)在微电子领域常被用于铜抛光液中的抗蚀剂,抛光后的BTA残留需要通过化学机械抛光(CMP)后清洗工序从晶圆表面去除,否则会影响器件的性能。通过实验研究了碱性多
【机 构】
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河北工业大学电子信息工程学院; 河北工业大学微电子技术与材料研究所;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61704046);国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003-004-007);河北省博士后科研项目择优资助项目(B2015003010)
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苯并三唑(BTA)在微电子领域常被用于铜抛光液中的抗蚀剂,抛光后的BTA残留需要通过化学机械抛光(CMP)后清洗工序从晶圆表面去除,否则会影响器件的性能。通过实验研究了碱性多羟多胺类螯合剂对抛光后晶圆表面残留BTA的去除效果及机理。首先通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)研究了BTA在铜表面的吸附状态,发现铜表面的氧化程度会影响BTA在晶圆表面的吸附状态;然后采用体积分数为0.02%、pH值为10.3的碱性多羟多胺螯合剂去除铜表面BTA薄膜。FTIR和XPS测试结果显示,碱性多羟多胺螯合剂可以有效去除铜表面BTA薄膜;最后,通过实验数据研究了碱性多羟多胺螯合剂去除BTA的机理。
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