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目的 :研究下颌前突患者下颌磨牙后区可用间隙.方法 :测量80位安氏 Ⅰ 类或 Ⅲ 类患者根分叉水平及根分叉下2mm,4mm,6mm水平上右侧下颌第二磨牙到下颌骨皮质内侧面的最短线性距离,比较组间距离并作混合线性模型分析.结果 :安氏 Ⅲ 类患者在根分叉下P0和P2深度上测量的磨牙后区距离明显大于安氏 Ⅰ 类患者.结论 :在下颌磨牙远中移动时,安氏 Ⅲ 类患者在下颌第二磨牙根分叉水平具有更大的磨牙后区可用间隙.