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研究了Ｗ＆Ｒ工艺中弯曲半径，绝缘材料对银套Ｂｉ－２２２３带材ＩＣ的影响，用Ｗ＆Ｒ法制备了内径１６ｍｍ，外径８０ｍｍ、高４７ｍｍ四双饼串联组合磁体，４．２Ｋ下ＩＣ＝５５Ａ，磁体中心磁场Ｂ０＝０．４４Ｔ。
W＆R Bi—2223饼状磁体实验研究
【摘 要】
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研究了Ｗ＆Ｒ工艺中弯曲半径，绝缘材料对银套Ｂｉ－２２２３带材ＩＣ的影响，用Ｗ＆Ｒ法制备了内径１６ｍｍ，外径８０ｍｍ、高４７ｍｍ四双饼串联组合磁体，４．２Ｋ下ＩＣ＝５５Ａ，磁体中心磁场Ｂ０＝０．４４Ｔ。
【机 构】
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西北有色金属研究院
【出 处】
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稀有金属材料与工程
【发表日期】
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1995年5期
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