【摘 要】
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由于锑化镓(GaSb)表面存在着大量的氧化物及悬挂键,使得材料具有较高的表面态密度,这将导致GaSb费米能级钉扎,严重限制了其器件的应用和发展。同时,这些氧化物及悬挂键将构成
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
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由于锑化镓(GaSb)表面存在着大量的氧化物及悬挂键,使得材料具有较高的表面态密度,这将导致GaSb费米能级钉扎,严重限制了其器件的应用和发展。同时,这些氧化物及悬挂键将构成非辐射复合中心,影响表面发光。本文通过酸性饱和S2Cl2溶液(最优钝化时间为5s)对n型Ga Sb进行表面钝化后发现:该溶液钝化可有效减少GaSb表面的氧化物及悬挂键,改善光学性质。从理论上分析了S2Cl2溶液的钝化机理,同时利用PL、PL mapping、XPS及AFM等测试手段验证了该分析的准确性。另外,与常规的碱性(NH4)2S
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