【摘 要】
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利用射频(RF)等离子方法,对GaAs半导体表面进行了S-N混合等离子体钝化实验,并对工作压强、RF功率进行了优化。光致发光(PL)测试结果表明,经过S-N混合等离子体钝化的GaAs样品P
【机 构】
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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,
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利用射频(RF)等离子方法,对GaAs半导体表面进行了S-N混合等离子体钝化实验,并对工作压强、RF功率进行了优化。光致发光(PL)测试结果表明,经过S-N混合等离子体钝化的GaAs样品PL强度提高135%。将本文钝化方法应用到980nm波长InGaAs应变量子阱(QW)激光器的制备工艺,器件的COD阈值功率明显增加。
Using RF plasma, S-N hybrid plasma passivation experiments were performed on the surface of GaAs semiconductors, and the working pressure and RF power were optimized. The photoluminescence (PL) test results show that the PL intensity of GaAs samples passivated by S-N mixed plasma is increased by 135%. The passivation method of this paper is applied to the fabrication process of 980nm wavelength InGaAs strained quantum well (QW) laser, and the COD threshold power of the device is obviously increased.
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