Ⅲ-Ⅴ族宽禁带含氮三元混晶半导体禁带宽度的计算

来源 :内蒙古大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:haungmg666
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使用简化相干势近似(SCPA)计算了Ⅲ-Ⅴ族三元混晶InGaN的禁带宽度.结果表明,该方法与实验数据吻合较好,可用于Ⅲ-Ⅴ族含氮三元混晶相关常数的计算.
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