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采用射频磁控溅射制备了不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜．以X射线衍射、扫描电镜等对薄膜的结构和形貌进行了表征，XRD和SEM测试结果显示Cu掺杂量为5．0at．％时，Zno9，Cu0.05O薄膜呈纳米柱状结构．同时也对薄膜的光致发光（PL）进行了研究．结果表明，406nm的发光峰源于带边自由激子电子的复合，440nm的发光峰则和薄膜中的锌间隙Zni缺陷有关．