半导体生产中硬质掩蔽层(SiN,SiN/Poly)的去除

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半导体生产对掩蔽层有强烈的依赖关系。因为在许多步骤中,掩蔽层对其下层结构有保护作用。大家熟悉的光刻软质膜基本是由有机材料组成的。至于硬质掩蔽层,象局部氧化用(LOCOS)SiN层,是无机的,它可承受更加恶劣的工艺环境,样,它们要求用专用的去除技术,本文讨论了湿法和干法硬质掩蔽层的去除方法。
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