【摘 要】
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通过溶液法合成了Cu2SnS3（CTS）薄膜,并研究了不同Cd含量对CTS薄膜晶体结构和性能等方面的影响.研究发现通过Cd掺杂可以有效调节CTS的光学带隙（Eg）.不添加Cd时,样品为面心立方相的
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通过溶液法合成了Cu2SnS3（CTS）薄膜,并研究了不同Cd含量对CTS薄膜晶体结构和性能等方面的影响.研究发现通过Cd掺杂可以有效调节CTS的光学带隙（Eg）.不添加Cd时,样品为面心立方相的CTS（C-CTS）,带隙为0.82 eV.当Cd含量在4.18%~13.38%的范围内时,立方相的CTS逐渐转变为立方结构固溶体（C-CTS：Cd）和四方结构固溶体（T-CTS：Cd）.通过改变制备样品的Cd掺杂含量,可实现带隙从0.82~1.26 eV的调节.XPS测试结果表明,CTS（即未掺杂Cd的CTS）
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