论文部分内容阅读
采用不同的光斑移动距离，对电子柬蒸发制备的HfO2／Si02多层高反膜进行了单步及多步预处理。结果表明：为了使薄膜不产生损伤，预处理最高能量密度最好不超过薄膜零几率损伤阈值的90％；相同预处理效率下进行的单步预处理对提高光学薄膜抗激光损伤阈值的效果比多步预处理好；对HfO2／SiO2高反膜进行98．4％能量覆盖的两步预处理后薄膜损伤阈值提高81％；控制薄膜的缺陷源，初始物质应采用金属Hf。