【摘 要】
：
绿色发展理念是习近平生态文明思想的重要组成部分,是对中国特色社会主义生态文明建设的新探索.绿色发展理念继承和发展了马克思主义生态观,它坚持正确处理经济发展与环境保护的辩证统一关系,促进人与自然和谐共生,实现了对马克思主义生态观的理论创新,为美丽中国建设提供了行动指南,为推动经济发展方式的转变、实现高质量发展提供了科学指导.
【机 构】
：
河南师范大学 科技与社会研究所,河南 新乡 453007
论文部分内容阅读
绿色发展理念是习近平生态文明思想的重要组成部分,是对中国特色社会主义生态文明建设的新探索.绿色发展理念继承和发展了马克思主义生态观,它坚持正确处理经济发展与环境保护的辩证统一关系,促进人与自然和谐共生,实现了对马克思主义生态观的理论创新,为美丽中国建设提供了行动指南,为推动经济发展方式的转变、实现高质量发展提供了科学指导.
其他文献
MYB转录因子参与植物细胞形态与模式建成、次级代谢的调控以及生物和非生物胁迫应答等反应.该研究采用RT PCR方法扩增了番茄SlMYB86基因,并进行了聚类分析和保守域序列分析,构建原核表达载体和诱导纯化蛋白,利用qRT PCR和Western blot检测SlMYB 86在缺氮复氮下的表达水平,为深入探究番茄MYB86转录因子在缺氮胁迫下的功能奠定基础.结果 表明:(1)番茄SlMYB86与番茄SlMYB26在进化树上属于同一分支,亲缘关系较近,且SlMYB86含有2个Myb DNA-binding保守
给出了用于屏蔽电缆转移阻抗测试的三同轴法的频率响应系数解析公式,计算了IEC 62153-4-3:2013标准中方法C的频率响应,分析了不同测试结构及同种测试结构不同耦合长度电缆样本的频率响应及其对转移阻抗测试结果的影响,并实测了SYV-50-3-4同轴电缆的转移阻抗,验证了分析结果的正确性.结果 表明:缩短电缆样本的耦合长度,不仅提高了转移阻抗的可测试上限频率,还提高了测试结果的准确性.
调Q是获得脉冲激光输出的一种重要技术手段.近年来,利用掺杂光纤作为可饱和吸收体实现对全光纤激光器被动调Q的研究得到了广泛关注.本文介绍了光纤可饱和吸收体的基本特性及显著优势,评述了其在光纤激光器宽带调Q、高重频调Q和大能量调Q等领域的国内外应用进展,并对今后的发展趋势进行了展望.
为了明晰高温胁迫下表皮蜡质在不结球白菜生理响应中的保护作用,该研究以不结球白菜有蜡(Q28)和无蜡(Q1202)品种为试验材料,设置高温胁迫组(昼/夜温度为37℃/30℃)和对照组(昼/夜温度为25℃/18℃)处理,观察不同材料叶片表皮细胞形态,比较分析高温胁迫处理下不同时期生理和光合指标变化的差异.结果 表明:(1)高温胁迫对两种不结球白菜幼苗的生物量均产生不同程度的抑制,且有蜡材料的下降幅度较无蜡材料小;高温胁迫后叶片表皮细胞形态差异较大,且有蜡材料叶片表皮细胞皱缩程度显著小于无蜡材料.(2)高温胁迫
芥菜型油菜细胞质雄性不育(CMS)系WJS01A是一种稳定不育系,其败育彻底,不受环境条件的影响.该研究从形态、细胞特征、遗传和分子生物学等方面对WJS01A进行鉴定,以揭示其败育机制,为该不育系在油菜育种中的应用提供理论基础.结果 表明:(1)不育系WJS01A的花序结构与正常芥菜型油菜差异不大,但在花蕾饱满度、花朵张开度及花瓣长度和宽度方面略低于正常的芥菜型油菜;它的雌蕊发育正常,但花药、花丝缩短,致使雄蕊高度显著低于柱头,花药白化无花粉产生.(2)将wJS01A衍生的甘蓝型油菜背景不育系WNJ01A
采用电离空气产生等离子体的方式,对聚醚酰亚胺(PEI)绝缘子进行了表面改性处理,研究了处理时间对PEI表面成分、形貌及真空沿面耐压性能的影响.将PEI绝缘子在旋转处理平台上经过不同时间等离子体处理后,通过红外光谱和X射线光电子能谱对表面成分变化进行了表征,通过扫描电子显微镜和原子力显微镜对表面结构变化进行了表征,最后对不同等离子体处理时长的PEI绝缘子进行了二次电子发射系数、表面电导率和沿面耐压水平测试.测试结果表明,等离子体处理能够增加PEI绝缘子表面C—O,C=O等极性基团数量,并在PEI表面形成起伏
利用蒙特卡罗模拟软件FLUKA对中国散裂中子源快循环同步环形加速器中主准直器的中子场分布进行计算和分析,得到中子在铁屏蔽体和混凝土屏蔽体表面的总注量率、能谱和时间分布及其他次级粒子能谱.计算结果表明,屏蔽体阻挡和慢化了中子,使中子注量率减小且能谱分布向低能方向转移.从中子的能量和时间分布结果来看,中子场具有明显时间波动性,脉冲周期约为125 μs.短周期的脉冲中子场在快响应中子宽谱探测器研发和标定方面具有很好的应用前景.
将航天器模型简化为含环形缝隙和内支柱结构的重入腔,利用3维共形PIC程序UNIPIC-3D对重入腔在X射线辐照下的系统电磁脉冲(SGEMP)环境及耦合现象进行了模拟计算.计算结果表明,SGEMP易与重入腔的环形缝隙发生耦合而进出腔体,总电磁场可由腔内外发射面分别产生的电磁场线性叠加获得;脉冲射线作用结束后,重入腔的缝隙及腔内支柱附近仍存在幅值较大且随时间衰减的阻尼电磁波;环形缝隙附近的电磁脉冲受到缝隙宽度或几何因子的影响,幅值、频率和波形会发生变化.
研究了不同反向泄漏电流密度下的GaN基雪崩渡越时间(IMPATT)二极管大信号输出特性.仿真结果表明,IMPATT二极管的交流性能会随着反向泄漏电流密度的增大而显著降低.对IMPATT二极管工作时的内部特性的研究表明,引起IMPATT二极管性能衰减的主要原因是较大的反向泄漏电流并没有降低交流相位延迟,反而使交流周期中内部电场的振幅显著衰减,使交流电压和交流电流显著衰减,降低了雪崩渡越时间二极管大信号输出特性.
基于铁电材料极化模拟的相场模型,结合半导体器件方程建立了金属-铁电-绝缘层-半导体结构铁电场效应晶体管(FeFET)性能研究的理论模型,利用蒙特卡方法模拟分析质子辐照产生的缺陷对FeFET性能的影响.计算结果表明,当入射角度为0,能量为10～100 KeV的质子入射FeFET时,FeFET中铁电层的矫顽场和剩余极化强度随质子辐射产生氧空位数密度的增加而减小,这是由于位移损伤会产生氧空位,氧空位产生缺陷偶极子,进而导致铁电层的畴结构发生变化,最终导致BaTiO3薄膜的极化发生变化;随着入射质子能量的增加,质