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在250和400℃之间用放射示踪剂研究了Hg_(1-x)Cd_xTe的汞自扩散,发现扩散分布有两个分量,用接触式自动射线显迹法表明体晶样品的尾迹分量与通过位错排的短路扩散有关。用位错分析确定扩散的尾迹分布特性和在缺陷结构D_(Hg)内估计了汞扩散系数。在饱和汞分压下测量晶格扩散系数D_(Hg)=2×10~4exp{-1.1eV/kT}cm~2s~(-1)。外延样品扩散汞的表面浓度大约为体晶Hg_(1-x)Cd_xTe的1/40。