【摘 要】
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基于降低成本和提高集成度的目的，研制了一款采用0.1μm 硅（Si）基氮化镓（GaN）工艺的Ku波段多通道功率放大芯片。芯片集成了两路相同设计的功率放大通道和两路无源射频直通通道。其中功率放大通道采用三级放大的拓扑结构。增加了奇偶模振荡消除电路以提高功放稳定性；针对Si基GaN工艺的特点，在功放通道末级输出匹配网络提出了一种新型设计方案以提高网络的耐压能力。各射频通道之间采用接地线隔离技术以提高通
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基于降低成本和提高集成度的目的，研制了一款采用0.1μm 硅（Si）基氮化镓（GaN）工艺的Ku波段多通道功率放大芯片。芯片集成了两路相同设计的功率放大通道和两路无源射频直通通道。其中功率放大通道采用三级放大的拓扑结构。增加了奇偶模振荡消除电路以提高功放稳定性；针对Si基GaN工艺的特点，在功放通道末级输出匹配网络提出了一种新型设计方案以提高网络的耐压能力。各射频通道之间采用接地线隔离技术以提高通道间的隔离度。芯片的功放单通道在14～17GHz范围内，在漏压为14V、脉冲占空比10%的工作条件下，饱和输出功率大于40dBm，功率附加效率大于35%。双功放通道幅度一致性小于±0.15dB，相位一致性小于3°。芯片面积为3.5mm×2.85mm。
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