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本文重点从埋层图形横向位移对双极器件参数的影响出发，研究了埋层图形横向位移的机理，位移方向和不同外延层厚度的移量，提出解决埋层形横向位移的唯一途是利用版图的对准符号配合硅片参考面来消除横向位移。并建议在单通隔离工艺中或在双对通隔离工艺中，适当减小埋层与隔离图形的间距 是提高器件参数民一能和器件成品率的奥妙所在。