【摘 要】
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电压依赖性离子通道病变是发育中及成熟大脑癫痫发作的病因.两种人类癫痫综合征良性家族性惊厥(BNFC)和高热惊厥(GEFS+)都与离子通道的病变有关,前者与钾通道病变有关,后者与
【机 构】
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第一军医大学南方医院神经外科,广东,广州,510515
【出 处】
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国外医学（生理、病理科学与临床分册）
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电压依赖性离子通道病变是发育中及成熟大脑癫痫发作的病因.两种人类癫痫综合征良性家族性惊厥(BNFC)和高热惊厥(GEFS+)都与离子通道的病变有关,前者与钾通道病变有关,后者与钠通道病变有关.一些新发现的癫痫综合征的染色体定位也是在富含离子通道基因序列的区域.基因突变小鼠的研究表明,由于不同离子通道对神经元兴奋的作用不同,不同通道的突变可导致不同癫痫类型.
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