多晶硅发射极晶体管的低频噪声特性

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gisbird
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文报导在2~2kHz的频率范围内测得的多晶硅发射极晶体管的低频噪声频谱,并论述低频噪声的产生机理。多晶硅发射极晶体管具有较常规晶体管优异的低频噪声特性而可望成为一种合适的低频低噪声器件。 This paper reports the low frequency noise spectrum of polysilicon emitter transistors measured in the frequency range of 2 ~ 2kHz, and discusses the generation mechanism of low frequency noise. Polysilicon emitter transistor with superior low-frequency noise than conventional transistors may be expected to become a suitable low-frequency low-noise devices.
其他文献
本文提出一种称为矩形槽的新型垂直功率M0SFET结构,它以反应性离子豺蚀技术所形成的矩形槽的两壁做为垂直沟道。该结构的特点是;导通电阻小,封装密度高。文章中计算了导通电
本文研究了直拉硅单晶(CASi)中子嬗变掺杂(NTD)的可行性、径向电阻率均匀性以及NTDCZSi内吸除效应的机理,证明了NTDCZSi是半导体器件的优良的新衬底材料. In this paper, th
专门从事测量和建筑系统开发的日本制造商沟口制作所,开始出售一人操作也可给出基准线的激光水准仪。该产品系将测量场地等使用的大型激光水准仪小型化后用于建筑方面,即使
本文所介绍的是专为卫星工程地面站研制的C波段统一载波的微波集成下变频器。它具有三通道特性,每通道具有净增益20分贝,噪声系数小于8分贝,前中输出干扰电平小于12微伏。和
7月24日,国家采油设备标准化工作部在大庆油田正式开展工作。该工作部挂靠在大庆油田装备制造集团,工作秘书处设在该集团技术监督中心。 July 24, the National Oil Product
开鲁县人民公社明仁管理区北兴生产队育苗小组,去年在0.042亩土地上进行杨树高度密插育苗试验,共产苗木15,700株,平均苗高130公分,基径0 5公分,折合亩产373,810株。这块试验
本文分析了低压(低工作电压)射频功率晶体的特征,并由此导出了这类晶体管的设计原则.最后,作为一个实例,给出了f_o=470MHz,V_(cc)=12V,P_o=25W,G_p(?) 5dB的低压射频功率晶体
一、引言本文介绍的精密采样电阻器,是为电子束曝光机镜筒光路系统透镜电源研制的,透镜电源稳定度的高低,对电子束光路系统束点的稳定性和再现性,同样起着重要的作用;而透镜
已有不少学者研究了常温下洁净硅片表面对氧的吸附和随后发生的硅的自然氧化问题.一九七五年S、I、Raider等人曾用ESCA研究了用HF腐蚀过的洁净硅片表面对氧的吸附.他们发现用
卡梅隆你够狠,12年大隐之后,一出手就搅起周天热浪!你阔大的野心,纵横天宇的疯狂,扫落了多少人类的矫情和小家子气。走出影院,看满天繁星闪烁,一时神思遨游,联翩千载……卡梅