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随着微电子技术的飞速发展，按照摩尔定律发展的要求，SiO2的极限厚度已经成为Si基集成电路提高集成度的瓶颈。寻求代替SiO2的其它新一代高k栅介质已成为当今微电子技术发展的必然趋势。文章介绍了几种最有可能成为下一代栅介质的高k材料，并对其研究进展和存在的问题进行了阐述。
新一代CMOS器件栅介质材料研究进展
【摘 要】
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随着微电子技术的飞速发展，按照摩尔定律发展的要求，SiO2的极限厚度已经成为Si基集成电路提高集成度的瓶颈。寻求代替SiO2的其它新一代高k栅介质已成为当今微电子技术发展的必
【机 构】
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井冈山大学电子与信息工程学院
【出 处】
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井冈山大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2011年5期
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