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超高真空条件下，采用电子束蒸发工艺在Ｓｉ（１１１）衬上交替蒸镀２００°Ａ的Ｃｏ和Ｓｉ薄膜形成层膜结构，，在恒温炉品作稳态热退火，然后用ＸＲＤ，ＲＢＳ及ＡＥＳ等技术作分析，研究了Ｃｏ－Ｓｉ多层膜固相反应的相序，用四探针测量了反应生成的钴硅化物的电阻率。结果表明，随着退火温度的升高，淀积在Ｓｉ（１１１）上的Ｃｏ膜逐步转化为Ｃｏ２Ｓｉ，ＣｏＳｉ和ＣｏＳｉ２，最后完全转化为ＣｏＳｉ２。在比单层膜低得多...