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AISiCp封装构件具有众多电子领域应用所需的优异性能：低密度、高热导率、高刚度和可设计调节的热膨胀系数。与Cu／W、Cu／Mo散热基板和Kovar外壳相比，AISiCp电子封装构件可明显减轻重量，而采用近净成形的铸造工艺，在成本和生产效率上也可与AI合金外壳相媲美。
高性能AISiCp封装技术
【摘 要】
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AISiCp封装构件具有众多电子领域应用所需的优异性能：低密度、高热导率、高刚度和可设计调节的热膨胀系数。与Cu／W、Cu／Mo散热基板和Kovar外壳相比，AISiCp电子封装构件可明显减轻
【机 构】
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南京电子技术研究所
【出 处】
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电子机械工程
【发表日期】
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2006年3期
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