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采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除了可以提高器件的击穿电压外,还可以提高直流输出电流和跨导,对输出特性和转移特性均有一定的提高。
偏栅Al_xGa_(1-x)N/GaN HEMT的二维模拟与特性分析
【摘 要】
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采用泊松方程-薛定谔方程-流体力学方程组自洽求解的方法,对偏栅AlGaN/GaN HEMT器件的电学特性进行了二维模拟。通过与传统正栅器件的模拟结果对比分析,可以看出,偏栅结构除
【机 构】
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中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室清华大学微电子研究所中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029100084
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2007年2期
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