【摘 要】
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采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼(c-BN)薄膜.用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析沉积膜的相结构,用透射电镜(TEM)及高分辨
【机 构】
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北京科技大学材料学院表面技术研究室,北京科技大学材料科学与工程学院,哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
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采用自行研制的磁增强活性反应离子镀系统,在脉冲偏压条件下成功地合成了高品质立方氮化硼(c-BN)薄膜.用傅立叶变换红外谱(FTIR)分析沉积膜的相结构,用透射电镜(TEM)及高分辨率透射电镜(HRTEM)分析膜的断面结构.FTIR结果表明:c-BN的纯度强烈地受基片负偏压的影响,当基片负偏压为155 V,c-BN膜的纯度高达90%以上.TEM及HRTEM对膜的断面结构分析表明,在膜与基片的界面处存在很薄的非晶氮化硼和六方氮化硼(h-BN)层,h-BN(0002)晶面垂直于基片表面,在界面层之上生长着单相c
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