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在有效质量近似下，采用简单的尝试波函数变分地计算了压力对浅施主杂质在对称GaAs／Ga1-xAlxAs双纳米线中的束缚能的影响：计算了线宽、施主离子位置及垒宽对体系束缚能的影响，发现随压力增加和垒宽的减小双线间的耦合越来越强；体系束缚能随线宽显示出非线性行为，并且在线宽较小时体系束缚能有一最大值，所得结果和前人计算符合很好。